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2017 全球半导体设备投资估跳增一成,惟明年恐转衰

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三星新 V-NAND 记忆体,容量 1Tb

三星电子 NAND Flash 技术再升级,9 日宣布研发出容量达 1 Tb(terabit)的 3D NAND 晶片,预计明年问世。 Pulse、ZDNet、韩联社报导,三星研发 1Tb 的 V-NAND 晶片(
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高通携手工研院与台厂,合作研发 5G 小型基地台

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