互联网动态

韩联社、东亚日报日文版报导，南韩半导体大厂 SK 海力士（SK Hynix Inc.）于 4 日宣布，已成功研发出较现行 3D 架构 NAND 型快闪记忆体（Flash Memory）进一步

根据 TrendForce 记忆体储存研究（DRAMeXchange）调查，各大厂已议定第四季合约价的情况下，10 月合约价格开始大幅滑落，主流模组 4GB 的均价自上季的 34.5 美

记忆体大厂南亚科 5 日公布 2018 年 10 月份财报！根据财报显示，2018 年 10 月份南亚科营收为新台币 67.26 亿元，较 9 月份的 79.79 亿元，减少 15.71%，较 2017

相较目前主流的硅晶圆（Si），第三代半导体材料 SiC 与 GaN（氮化镓）具备耐高电压特色，并有耐高温与适合在高频环境下优势，其可使晶片面积大幅减少

根据 TrendForce 记忆体储存研究（DRAMeXchange）调查，2018 年 NAND Flash 市场全年处于供过于求，需求面随着笔记型电脑及智慧型手机 OEM 库存皆已备足，再加上中

此前有外媒认为联电将遭受 200 亿美元的罚款，这个数字其实远高于联电市值，到底是怎么估计的。

就在华为麒麟 980、苹果 A12 处理器之后，三星 Exynos 旗舰行动处理器也要朝 7 奈米製程节点前进了。随着 2019 年三星旗下的智慧型手机 Galaxy S10 和 Galaxy S1

处理器及绘图晶片大厂 AMD，台北时间 7 日凌晨在美国旧金山举办的技术大会上，正式公布了自家在 CPU 及 GPU 两部分的 7 奈米製程产品。其中，在 GPU 部分是

就在 AMD 发表新一代 7 奈米产品的前一刻，竞争对手英特尔也不甘势弱，宣布推出其下伺服器处理器平台的两个新成员，分别是计划在 2019 年上半年发布的

SEMI 公布最新一季硅晶圆产业分析报告，第三季全球硅晶圆出货面积创历年单季新高。SEMI 预期，硅晶圆出货成长态势可延续到第四季。 国际半导体产业协

根据日本媒体《共同社》的报导指出，目前全球第 2 大 NAN DFlash 快闪记忆体製造商东芝记忆体公司 (Toshiba Memory) 最快将于 2019 年秋季进行公开上市的工作。