昕原半导体申请晶圆处理方法和晶圆专利，防止污染金属的暴露和扩散

昕原半导体申请的晶圆处理方法和晶圆专利，旨在防止污染金属的暴露和扩散，这体现了半导体制造领域对产品质量和可靠性的高度重视。以下是对这一技术的一些分析：
1. "技术背景"： - 在半导体制造过程中，晶圆表面可能会受到污染，这些污染源可能包括金属颗粒、尘埃、化学物质等。 - 污染金属的暴露和扩散会导致电路性能下降，甚至造成设备故障。
2. "技术目的"： - 通过申请的晶圆处理方法和专利，昕原半导体旨在解决晶圆表面污染金属的暴露和扩散问题。 - 这有助于提高晶圆的清洁度，从而提高半导体器件的性能和可靠性。
3. "技术特点"： - 可能采用特殊的清洗、处理或防护技术，以防止污染金属的暴露和扩散。 - 可能涉及对晶圆表面进行特殊涂层或处理，以形成保护层，防止污染物质侵入。
4. "应用领域"： - 该技术可应用于各种半导体器件的制造，如集成电路、光电子器件等。 - 有助于提高半导体产业的整体技术水平，满足市场需求。
5. "市场前景"： - 随着半导体产业的快速发展，对晶圆处理技术和质量的要求越来越高。 - 昕原半导体的这一技术有望在市场上获得广泛应用，为我国半导体产业提供有力支持。
总之，昕原半导体申请的

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金融界2025年6月9日消息，国家知识产权局信息显示，昕原半导体（上海）有限公司申请一项名为“晶圆的处理方法和晶圆”的专利，公开号CN120109005A，申请日期为2025年02月。

专利摘要显示，本发明公开了一种晶圆的处理方法和晶圆，晶圆的处理方法包括：对晶圆的边缘进行第一洗边操作；去除晶圆的第一硬掩模层；在衬底的上侧依次形成污染金属层和第二硬掩模层；对晶圆的第二边缘区域进行第二洗边操作，第二洗边操作至少去除掉第二边缘区域内的第二硬掩模层的至少部分，其中，第二边缘区域的径向距离至少大于晶圆边缘的标记凹槽在径向上的深度。由此，通过对沉积污染金属层和第二硬掩模层后的晶圆的边缘进行第二洗边操作，并且第二边缘区域的径向距离至少大于晶圆边缘的标记凹槽在径向上的深度，这样可以去除衬底上的凹坑，从而在后序工艺中防止污染金属的暴露和扩散。

天眼查资料显示，昕原半导体（上海）有限公司，成立于2019年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本4653.6715万人民币。通过天眼查大数据分析，昕原半导体（上海）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息109条，此外企业还拥有行政许可2个。

本文源自金融界