剑桥氮化镓申请具有辅助栅极结构的功率半导体器件专利，实现具有高于2V的阈值电压、低栅极漏电流和增强的开关性能的常关（E模

以下是一份关于申请具有辅助栅极结构的氮化镓功率半导体器件专利的草案，旨在实现具有高于2V的阈值电压、低栅极漏电流和增强的开关性能的常关（E模式）GaN晶体管。
"专利申请草案"
"1. 发明名称"
具有辅助栅极结构的氮化镓功率半导体器件
"2. 技术领域"
本发明涉及功率半导体器件领域，特别涉及一种具有辅助栅极结构的氮化镓（GaN）功率晶体管，该晶体管具有高于2V的阈值电压、低栅极漏电流和增强的开关性能，适用于常关（E模式）操作。
"3. 背景技术"
氮化镓（GaN）晶体管因其高电子迁移率、高击穿电场和宽直接带隙等优异特性，在功率电子领域具有巨大的应用潜力。GaN晶体管通常工作在增强模式（E模式），即栅极电压为0V时晶体管导通。然而，E模式GaN晶体管的阈值电压通常较低（低于2V），这可能导致在零栅极电压下出现较大的静态漏电流，增加功耗并限制其应用范围。
为了实现常关（E模式）操作，研究人员提出了一些方法，例如使用p型掺杂沟道或特殊的栅极结构。然而，这些方法往往存在阈值电压不够高、

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金融界2025年7月25日消息，国家知识产权局信息显示，剑桥氮化镓器件有限公司申请一项名为“具有辅助栅极结构的功率半导体器件”的专利，公开号CN120379302A，申请日期为2020年05月。

专利摘要显示，本公开涉及GaN技术中的功率半导体器件。本公开提出集成的辅助（双）栅极端子和下拉网络以实现具有高于2V的阈值电压、低栅极漏电流和增强的开关性能的常关（E模式）GaN晶体管。高阈值电压GaN晶体管具有高压有源GaN器件和低压辅助GaN器件，其中，高压GaN器件具有与集成的辅助低压GaN的源极（12）连接的栅极（10）晶体管和作为外部高压漏极端子（9）的漏极以及作为外部源极端子（8）的源极，而低压辅助GaN晶体管具有连接至漏极（第二辅助电极16）的用作外部栅极端子的栅极（第一辅助电极15）。在实施例中，用于关断高阈值电压GaN晶体管的下拉网络由附加的辅助低压GaN晶体管（34）以及与低压辅助GaN晶体管并联或串联连接的电阻元件形成。

本文源自金融界