洪嘉聪：联电先进与特殊製程开发进程顺利，为投资策略重点

晶圆代工大厂联电在最新出版的民国 108 年年报，董事长洪嘉聪"致股东报告书"指出，联电致力于提供客户全方位晶圆专工解决方案，并与整体供应链合作伙伴紧密合作，持续投注于技术研发及产能扩充。未来半导体科技之运用将以人工智慧、物联网、5G 通讯、汽车电子为主，将有大量的晶片需求，且多为联电所专精的技术及特殊製程，也是联电持续投资策略重点。

洪嘉聪强调，研发一直是联电的营运重心，民国 108 年联电持续投注研发费用达新台币 118.6 亿元，持续延揽和培育研发人才，并在先进技术和特殊技术的研发上获得了丰硕的成果。针对逻辑製程平台推出 14FFC 製程 （14nm FinFET Compact），目前已成功的导入 5G 及网通等应用，良率达业界量产水準。

22 奈米超低功耗（22ULP） 及超低漏电流（22ULL）製程平台目前已完成客户产品验证，可应用于类比、混合讯号、射频等技术之物联网、行动装置、车用电子等。28 奈米高效能运算（28HPC+）製程应用于影像信号处理器（ISP）将于民国 109 年导入量产。联电的 28 奈米毫米波（mmWave）製程技术将可提供低功耗的 CMOS 解决方案。

在特殊技术应用，联电 40 奈米高压製程是晶圆专工业界第一个领先开发并量产，提供高阶有机发光显示器（AMOLED）市场。28 奈米高压技术也已进入量产阶段。此外，22 奈米高压製程技术（22eHV）研发进度也符合预期指标。射频绝缘半导体（RFSOI）技术提供一流性能及满足所有 4G／5G 手机对射频开关的严格要求，目前 0.13／0.11 微米和 90 奈米製程已广泛进入量产，联电已着手开发 55 奈米 RFSOI 技术平台，以衔接后续成长动能。

内嵌式快闪记忆体技术（eFlash）部分，55 奈米 MCU 已导入量产，40 奈米 SST 已完成良率与可靠度验证即将导入量产，28 奈米 SST 研发进度也符合预期，将供应物联网（IoT）需求。40 奈米电阻式随机存取记忆体（ReRAM）已进入小量生产阶段。22 奈米电阻式记忆体（ReRAM） 技术平台和 22 奈米嵌入式磁阻随机存取记忆体（eMRAM）製程平台，可应用于智慧物联网（AIoT）等相关产品，研发业已如期进行。除此之外，联电积极投入第三代半导体材料氮化镓（GaN）开发以布局高效能电源功率元件市场。

展望未来，在既定"兼顾财务体质改善及持续成长"经营策略下，联电经营团队将聚焦于：1. 整合组织效能，开发技术，全面提升品质与生产力，以追求卓越为全公司目标。2. 与供应链紧密合作，改善产品组合与强化市佔率，维持稳健的获利能力。3. 致力于客户服务，强化综效与附加价值，与客户共同成长，创造双赢。4. 提升永续经营的竞争力，以维护股东最大权益。

(首图来源：联电)