质疑对手技术领先，三星将公开 10 奈米级製程 DRAM 电路线宽应战

先前媒体报导，仍在 DRAM 市占领先全球的南韩大厂三星，竞争对手持续精进技术，甚至宣布超越三星推出新一代技术产品后，三星开始担心失去全球龙头位置。南韩媒体《BusinessKorea》报导，三星準备打破 DRAM 业界传统，将公布 DRAM 产品电路线宽，以显示三星技术在对手竞争下持续维持领先。

报导指出，DRAM 的电路线宽被业界认定是衡量半导体记忆体公司技术能力的重要指标，原因是 DRAM 的电路线宽越窄，功率效率就越高。牵涉技术机密情况下，过去 DRAM 业界传统就是不明确公开产品确切电路线宽。随着 DRAM 製程技术 2016 年进入 10 奈米级製程，DRAM 製造商普遍共识避免过去参与相关技术与市场的恶性竞争。进入 10 奈米级製程后，DRAM 製造商要将电路线宽缩小 1 奈米，就需 2~3 年研发时间，如此长时间与成本投入，也代表透过技术议题行销的效果并不大。

基于以上因素，过去 5~6 年，全球 DRAM 製造商从未确实发表 DRAM 产品电路线宽数字。这也是 DRAM 产业普遍将 2016 年推出的 10 奈米级製程归类为第一代 1x 奈米製程，将 2018 年推出的 10 奈米级製程归类为第二代 1y 奈米製程，以及在同一年推出的 10 奈米级製程归类为第三代 1z 奈米製程，之后于 2021 年初问世问世的第四代 10 奈米级製程，称为 1a 奈米製程的原因。

DRAM 厂商普遍将 10 奈米级製程以 1x 奈米製程、1y 奈米製程、1z 奈米製程等称呼，所以很难清楚确认三星 1z 奈米製程 DRAM 和 SK 海力士的 1z 奈米製程 DRAM 电路线宽差异。三星决定放弃传统打"模糊战"方式，预计公布旗下各 10 奈米级製程 DRAM 电路线宽，代表三星对本身製程很有信心，面对对手的竞争。

三星表示，将在 2021 下半年大量生产 1a 奈米製程 DRAM，电路线宽就是 14 奈米。三星是全球第一家 2016 年初开始大量生产第一代 1x 奈米製程 DRAM 的公司，量产时间当时领先竞争对手 SK 海力士和美光约半年到一年。即使到 2019 年开发出 1z 奈米製程 DRAM 前，即使三星没有详细公布 DRAM 电路线宽，也没人否认三星拥有 DRAM 产业最好的技术。

以上业界习以为常的情况，终于在第四代 1a 奈米製程 DRAM 产品打破。全球第三大 DRAM 製造商美商美光 （Micron）2021 年 1 月意外宣布，开发出全球首个且大量生产的 1a 奈米製程 DRAM，使美光技术发展一口气领先龙头三星。三星主管 DRAM 的 DS 业务高层表示忧心与不满，因三星认为过去生产的 1x、1y 和 1z 奈米製程 DRAM 性能远优于竞争对手，如今技术被超越是很大冲击，于是怀疑美光宣称的 1a 奈米製程 DRAM 实际情况。

报导强调，三星不仅怀疑美光夸大宣称 1a 奈米製程 DRAM 效能，且至今还没看到美光发表产品照片，也质疑 1a 奈米製程 DRAM 是否真可大规模量产。三星决定明确公布各代 10 奈米级製程 DRAM 电路线宽数字，除了代表以真正实力面对竞争对手挑战，更希望能巩固 DRAM 龙头宝座。

（首图来源：三星)