外媒《Toms Hardware》报导,英特尔执行长 Pat Gelsinger 日前接受 CBS 新闻节目〈60分钟〉访问,除了讨论晶片持续短缺,还指出英特尔将在本週宣布,将对美国新墨西哥州 Rio Rancho 工厂斥资 35 亿美元升级。
报导指出,Rio Rancho 工厂升级为英特尔 IDM 2.0 计画中,未来逐渐转移到新 IDM 2.0 模式工厂之一。由于英特尔 IDM 2.0 模式需要为其他客户生产客製化晶片,同时扩大生产能力,因此英特尔积极升级工厂。
英特尔已宣布 200 亿美元投资计画,预计将于美国亚利桑那州兴建两座新晶圆厂,还寻求美国政府补贴措施,以进一步扩大美国工厂产能。英特尔也证实投资以色列工厂 100 亿美元。外电报导,现阶段英特尔也在寻求从欧盟获得约 100 亿美元补贴,準备于欧洲建立新晶圆厂。英特尔大规模宣布投资同时,竞争对手台积电也已宣布,将在未来 3 年投资 1,000 亿美元,似乎给英特尔带来压力。
报导强调,英特尔的新墨西哥州 Rio Rancho 工厂升级投资,可能包括 Optane(也就是 3D XPoint)生产。唯一技术来源美光(Micron)最近也宣布,将在 2021 年底停止生产 3D XPoint。美光计划退出生产 3D XPoint 后,美光将旗下犹他州 3D XPoint 晶圆厂出售。除此之外,英特尔 Rio Rancho 工厂还预计用作 Optane 研究和开发中心。这是因英特尔最初与美光合作开发 3D XPoint 技术,所以拥有相关资料,未来可能持续生产。Rio Rancho 工厂现阶段暂时不适用大量生产 3D XPoint 技术产品。
(首图来源:Flickr/Atomic Taco BB BY 2.0)