南亚科斥资 3 千亿元新北市兴建新晶圆厂，完成后每月增加 4.5 万片

国内 DRAM 记忆体大厂南亚科技 20 日宣布，将斥资新台币 3,000 亿元，于新北市兴建新晶圆厂。预计 2021 年底动土之后，2023 年正式建厂完成，2024 年开始进行第一阶段量产，全部完工之后将可提供每月 45,000 片晶圆的产能，并增加 2,000 个优质的就业机会。

南亚科技表示，在新北市政府及中央政府单位的支持下，规划于新北市泰山南林科技园区兴建一座双层无尘室 12 吋先进晶圆厂。此座厂房将採用南亚科技自主研发的 10 奈米级製程技术生产 DRAM 晶片，及规划建置 EUV 极紫外光微影生产技术，月产能约为 45,000 片晶圆。预期可直接提供 2,000 个优质工作机会，并间接创造产业链数千个就业机会。此座先进晶圆厂，预估以 7 年分 3 阶段投资，计划于 2021年底动工，2023 年底完工，2024 年开始第一阶段量产，总投资金额约为新台币 3,000 亿元。

南亚科技吴嘉昭董事长表示，DRAM 是所有电子产品智慧化的关键元件，是半导体产业极为重要的一环。因应全球记忆体市场成长趋势，此次南亚科技投资兴建先进晶圆厂，提升国际竞争力，让南亚科技不仅是台湾的 DRAM 领导者，更是全球关键记忆体供应商，台塑企业将全力支持，以具体行动增加高经济产值与优质工作机会贡献台湾。

而南亚科技李培瑛总经理表示，南亚科技专注于 DRAM 领域超过 25 年，全球累计拥有 4,600 件以上专利，近年来更积极导入人工智慧技术，加速 10 奈米级技术及产品的自主创新研发。2020 年成功开发出 10 奈米级 DRAM 记忆胞技术，并规划 2021 年导入量产，未来可生产 DDR5, LPDDR5 及 16G b高容量等 DRAM 产品，以因应未来 5G 与智慧世代的发展。新厂的投资计画亦将导入数个 10 奈米级世代自主技术，说明对 DRAM核心事业的坚持，绿色生产的承诺，并致力成为智慧世代的最佳记忆体伙伴。

而面对当前国内严重的旱象，可对于高科技生产造成冲击的情况，李培瑛则是强调，南亚科技在兴建工厂前其就已经对用水及用电做好妥善规划。就以现阶段使用的晶圆厂来说，南亚科技针对用水的回收效能可达到 95% 以上，在配合政府的节约用水政策之后，当前国内的旱象对南亚科技的生产没有造成影响。另外，针对当前的兴建新厂计画，李培瑛也表示，目前 DRAM 的需求在 5G、IoT、消费性电子市场的带动下，需求持续成长中。虽然市场报价与供需状况会有所起伏，但都不影响长时间成长的大趋势，使得扩厂的作法并不担心会有供过于求的风险。而如此，虽然不会快速提升南亚科的市占率，却也不会让市佔率以所下滑。

李培瑛进一步表示，新厂的兴建，届时预计从第 2 代 10 奈米级的 DRAM 製程开始导入，首阶段预计会有 15,000 片的月产能。而在 3 阶段完成建设之后，将为南亚科技增加 45,000 片的月产能。这数量虽然相较目前每月 70,000 片的产能少，但因为製程的提升，颗粒产能数量将会较为提升。另外，在新厂中南亚科也规划建置 EUV 极紫外光微影生产技术，也有相关的技术研发中心。至于，最终什么製程导入，或是什么产品导入，还须视市场需求做决定。

(图片来源：科技新报)