DRAM 今年无论在手机、NB、伺服器及消费性产品的需求全面成长,对 DRAM 消耗量成长,供给端又因过去几年各家 DRAM 大厂控制资本支出及库存低档,供给端成长有限,今年整体 DRAM 需求成长率大于供给位元成长率,估 DRAM 供不应求的情况已可直达年底,尤其利基型的 DRAM 更抢手,因供给商有限,DDR2 及 DDR3 缺货更胜 DDR4,利基型 DRAM 涨势更胜 DDR4 持续。
国际 DRAM 大厂以主流产品 DDR4 为主,若以比重来看,台系 DRAM 厂商拥有较多的利基型 DRAM 产能,尤其以华邦电占比高,南亚科 DRAM 产品,DDR2 及 DDR3 占比重也有约 30%;以利基型 DRAM IC 设计厂商,则以晶豪科为主。
华邦电表示,国际大厂将产能由 DRAM 转到 CMOS 领域,将利基型 DRAM 产能供给限缩,需求部分,去年因 Wi-Fi 6 大量量产,推动通讯领域成长。随着车市回温,车用记忆体包括 ADAS 应用也需要利基型 DRAM 产品,消费性产品包括 AIoT、游戏机,以及华邦电穿戴式产品如真无线蓝牙耳机领域,都有很大占比。
以价格来说,现货市场 DRAM 大涨六成以上,尤其 DDR3 涨幅已达七至八成,第二季合约价格已跟上,涨幅有双位数,但目前看来,现货市场 DRAM 目前涨势未歇,DDR3 部分报价仍高于 DDR4,有利推动第三季合约价格再往上。
南亚科第一季营收 177.31 亿元,毛利率 29%,EPS 0.88 元,南亚科预期,第二季价格仍可望逐月向上,第二季合约价也会优于第一季,出货量与第一季持平;华邦电第一季营收 213 亿元,年成长 85%,目前也是产能满载,以目前月产能 57K 片来看,只能透过去瓶颈再增加 1%~2% 产能。
至于利基型记忆体 IC 晶豪科,晶豪科目前在合约以及现货市场比重约 7:3,第二季合约价展开第二波调涨,预计自 4 月开始,所以第二季营收成长幅度可望增加。