供不应求状态延续，2 月 specialty DRAM 主流容量月均价涨近 7%

根据 TrendForce 调查显示，由于目前三大原厂产能吃紧，DRAM 市场仍处供不应求情况，整体市况已正式进入上涨週期，原厂看準机会大幅调升 specialty DRAM 月报价，带动部分颗粒单月价格涨幅逼近双位数；其中以越小容量、越利基的产品涨幅最大。以 2 月合约价来看，DDR2 及 DDR3 的涨幅仍高；DDR4 则受到 DDR3 的追价而持续上扬，目前在 specialty DRAM 中仍属最大宗应用的 DDR3 4Gb，其颗粒均价单月涨幅约 6.8%。

TrendForce 进一步表示，长期由台厂主导的 DDR3 2Gb 严重缺货的情况持续，有价无量已成该产品常态，而追价者成为造成市场高低价价差扩大的主因，本月均价涨幅近 9%。DDR4 4Gb 受到 DDR3 4Gb 的上扬所迫，三星（Samsung）本月价格明显拉升，促使低价及均价成长约 6%；DDR4 8Gb 则随着主流 server 与 PC 走势而上，涨幅约 4%。必须说明的是，此为因应月合约所做的价格调整，以反应当下市场状况，但若细究部分 tier-one 客户採取季度合约议价（quarterly lock-in deal）者，其整季价格则不受此月价格影响。

在目前 specialty DRAM 市况火热的情况下，DDR3 的获利水平逐渐高过 DDR4 及逻辑 IC 产品，也带动供应商的策略开始有所调整。韩厂方面，三星（Samsung）规划将 Line 13 持续转换至 CMOS Image Sensor 的长期策略不变，然受到近期价格强劲上涨影响，其稍有缩减原先规划的产能进度。SK 海力士（SK Hynix）亦採相同策略，旧厂 M10 于去年底调降产能后，2021 年基本上都维持在相似水位。随着最先进的 1Z 及 1 alpha 奈米良率有所拉升，美光（Micron）将逐步增加先进製程投片比重，因此部分 20 奈米及更成熟的製程碍于台湾厂区空间有限，未来会慢慢挪往位于美国的 Fab 6。整体而言，三大原厂的 DDR3 产出仍持续下滑，然下滑速度较原先预期趋缓。

台厂方面，南亚科（Nanya Tech）目前已将部分 20 及 30 奈米的 DDR4 投片转换回 DDR3；华邦（Winbond）近年重心皆在 Flash 业务，DRAM 产能在高雄路竹厂完工前都将受到限制，因此该公司选择重点支持 DDR2 及 DDR3 1/2Gb 小容量产品，也因华邦在该领域拥有相对更高的市占率，掌握更多定价优势。力积电（PSMC）先前主要锁定在逻辑 IC 代工，但随着 DDR3 代工价显着上扬，将转移部份产能至 DRAM。整体而言，未来三大台厂都将依据毛利高低于各产品间弹性调配产能。然而，TrendForce 认为，即便所有供应商加以因应，此波 specialty DRAM 供不应求的态势至少延续至今年上半年，后续价格涨幅将视各原厂产能调整状况而定。

（首图来源：shutterstock）