分析机构曝光三星开发 1z 奈米 EUV 製程 DRAM 规格祕辛

南韩三星近期积极将极紫外（EUV）曝光技术应用于採用 1z 奈米製程的 DRAM 记忆体生产，并完成量产。据半导体分析机构《TechInsights》拆解分别採用 EUV 技术和 ArF-i 技术的三星 1z 奈米製程 DRAM 后，发现 EUV 技术除了提升三星生产效率，还缩小 DRAM 的节点设计尺寸，另外还比较三星与美光 1z 奈米製程 DRAM，採用 EUV 技术的三星 DRAM 核心尺寸（Cell Size）同样较小。