根据南韩媒体 《ETnews》 的报导,紧追的美商记忆体厂美光科技 (Micron) 之后,南韩记忆体厂 SK 海力士也在 7 日正式发表 176 层堆叠的 512 Gb TLC 4D NAND Flash 快闪记忆体,也代表着 176 层堆叠 NAND Flash 快闪记忆体时代来临。
根据南韩媒体 《ETnews》 的报导,紧追的美商记忆体厂美光科技 (Micron) 之后,南韩记忆体厂 SK 海力士也在 7 日正式发表 176 层堆叠的 512 Gb TLC 4D NAND Flash 快闪记忆体,也代表着 176 层堆叠 NAND Flash 快闪记忆体时代来临。