传三星 2021 年拟砸 10 兆韩圜，扩产记忆体、晶圆代工

三星电子预料明年景气将复甦，据传要增加 DRAM、NAND Flash、晶圆代工产能，準备藉此冲刺市占，扩大和竞争对手的差距。

韩国时报报导，美系资产组合经理人 23 日表示："（增产理由是）明年全年 DRAM、NAND 将严重短缺，带动价格和获利复甦。"他说，三星正与零件供应商讨论，準备下单。据了解三星 DRAM 的每月晶圆产能将增加 3 万片、NAND 增加 6 万片、晶圆代工增加 2 万片。

增加产能主要在三星南韩平泽（Pyeongtaek）工厂。三星第 3 季财报会议表示，记忆体晶片库存回到合理水位，接到更多高利润的伺服器订单，预料市况将出现"有意义的逆转"（meaningful turnaround）。NH Investment 分析师 Do Hyun-woo 说："三星会积极生产 NAND 记忆体，不过将对 DRAM 维持保守态度。由于晶圆代工晶片将短缺，明年三星至少会对平泽厂和美国德州奥斯汀厂投资 10 兆韩圜。"

资产组合经理人透露："一般认为三星不会大幅增加记忆体的晶圆产能，以免重蹈 2018 年覆辙，这次的上行循环，（三星）增产做法将更理性。三星调整策略，可能是要趁数位变化、供给收紧时，抢下更大市占。"