三星盼 2 年后赶上台积电，内部人士：3 奈米晶片 2022 年量产

三星电子（Samsung Electronics Co.）传出已对次世代晶片事业（包含晶圆代工业务）砸下 1,160 亿美元，希望最快 2 年后赶上台积电。

彭博社 17 日报导，三星一名资深执行主管 10 月曾在一场必须受邀参加的会议上透露，2022 年有望量产 3 奈米製程晶片。台积电也预定 2022 年下半年量产 3 奈米晶片。

三星计划採用闸极全环场效电晶体（Gate-All-Around FET，GAAFET），能更精準地控制通道电流、缩小晶片面积、降低耗电量。台积电 3 奈米晶片则是採较成熟的鳍式场效应电晶体（FinFET）架构。SK Securities 分析师 Kim Young-soo 表示，三星选择的 GAA 技术，台积电预料 2024 年会使用在 2 奈米製程，惟时间也许会提前至 2023 年下半年。技术上来说，三星有望在台积电投产 2 奈米晶片前，于 2023 年扭转局面。三星能否扩充市占的关键，在于该公司能拿到多少台极紫外光（EUV）微影设备。

一名内部主管透露，大客户下达的订单，足以让三星 5 奈米生产线在未来几年保持忙碌。近几个月来，Nvidia Corp.、IBM Corp. 是几家转向三星下单的客户，高通（Qualcomm Inc.）据传也下单 1 兆韩圜（约 8.58 亿美元）。

三星副会长李在镕先前就曾出访欧洲，于 10 月 13 日到艾司摩尔（ASML）总公司拜会执行长 Peter Wennink 和技术长 Martin van den Brink 等人，商讨多项议题，如艾司摩尔出售 EUV 设备的计画。