记忆体大厂美光科技 (Micron) 于 10 日宣布,全球首款 176 层 3D NAND 快闪记忆体已正式出货,藉此将实现前所未有、领先业界的储存容量和效能。预计透过美光新推出的 176 层 3D NAND 快闪记忆体技术及先进架构,可大幅提高资料中心、智慧边缘运算以及手机装置等储存使用案例的应用效能。
记忆体大厂美光科技 (Micron) 于 10 日宣布,全球首款 176 层 3D NAND 快闪记忆体已正式出货,藉此将实现前所未有、领先业界的储存容量和效能。预计透过美光新推出的 176 层 3D NAND 快闪记忆体技术及先进架构,可大幅提高资料中心、智慧边缘运算以及手机装置等储存使用案例的应用效能。