整合电晶体和驱动元件，意法大幅提升 GaN 充电效率

为提升电源充电效率及消费性电子、工业充电器，以及电源转接器的开发速度，意法半导体（ST）宣布首款嵌入硅基半桥驱动晶片和一对氮化镓（GaN）电晶体的 MasterGaN 平台。MasterGaN 特点在于，是首个封装整合硅基驱动晶片和 GaN 功率电晶体的解决方案，相较硅充电器和转接器，其尺寸缩小80%，重量减轻70%，且充电速度提升 3 倍。