追赶 SK 海力士，三星：今年 HBM 产能扩增三倍

三星电子（Samsung Electronics Co.）2024 年高频宽记忆体（HBM）产能计画比去年扩增三倍，希望夺得市场领导地位。

《韩国经济日报》27日报导，三星执行副总裁兼DRAM产品与科技部长Hwang Sang-joong 26日在加州圣荷西（San Jose）举行的"Memcon 2024"会议表示，三星HBM产能有望年增2.9倍，高于三星稍早2024年拉斯维加斯消费电子展（CES 2024）说的2.4倍。

Hwang指出，第三代HBM2E及第四代HBM3量产后，今年上半将大量生产12层第五代HBM，以及32Gb晶粒的128GB DDR5记忆体。三星期望AI时代提升高效能、高容量记忆体市场地位。

三星发表HMB技术蓝图，预测2026年HBM出货量比2023年高13.8倍，2028年HBM年比2023年高23.1倍。三星最新HBM3E 12H晶片开始送样，上半年就可量产。

会议参与者有SK海力士（SK Hynix Inc.）、微软（Microsoft）、Facebook母公司Meta Platforms、辉达（Nvidia）及超微（AMD）。

三星半导体事业部门负责人桂显（Kyung Kye-hyun）上週才表示，正在开发次世代AI晶片"Mach-1"，已与Naver Corp.敲定协议，今年底交货，合约金额上看1兆韩圜（约7.52亿美元）。Naver希望与三星的供应协议大幅降低依赖辉达（Nvidia Corp.）。

华尔街日报26日报导，SemiAnalysis最新估计，SK海力士HBM位元市占约73%，三星居次22%，美光（Micron）排名第三，约5%。