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三星修改“High”这个词可能有多种含义，具体取决于上下文。以下是一些可能的解释：
1. "产品名称或型号修改"：三星可能会对某些产品（如手机、电视等）的型号或名称进行修改，以适应市场变化或品牌战略调整。例如，如果三星决定将某款手机的原型号“High”修改为“High Plus”或“High Max”，这可能是为了强调产品的新特性或改进。
2. "软件更新或修改"：在软件领域，“High”可能指代某个版本或功能。三星可能会对某些软件进行更新，修改其中的“High”部分，以修复bug、提升性能或增加新功能。
3. "营销策略调整"：三星可能会根据市场反馈或竞争对手的策略，对产品的营销宣传语或口号进行修改。如果原来的宣传语中包含“High”，那么他们可能会对其进行调整，以更好地吸引目标客户。
4. "品牌形象重塑"：三星作为一个国际知名品牌，可能会对品牌形象进行重塑，包括对产品名称、标志、口号等进行调整。在这种情况下，“High”可能被修改为更符合品牌新形象的表达。
总之，三星修改“High”的原因可能是多方面的，具体需要根据实际情况进行分析。如果您能提供更多背景信息，我可以为您提供更准确的解答。
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今年3月，三星在其韩国华城园区引入了首台ASML制造的High-NA EUV光刻机，型号为“TWINSCAN EXE:5000”，成为继英特尔和台积电（TSMC）之后，第三家购入High-NA EUV光刻机的半导体制造商。三星已决定在未来的DRAM生产中采用High-NA EUV技术，竞争对手SK海力士也有同样的想法。
据The Bell报道，三星和SK海力士已经决定推迟在DRAM生产中引入High-NA EUV技术的时间。原因是工具设备的成本过高，另外DRAM架构即将发生变化，从而让存储器制造商在High-NA EUV技术上采取更为谨慎的态度。
根据三星和SK海力士的计划，DRAM架构将分阶段发展——从6F²到4F²，最终发展到3D DRAM。2030年之前量产的4F²DRAM将需要EUV技术处理，预计将采用High-NA EUV工具。不过与传统DRAM不同，3D DRAM通过垂直堆叠增加晶体管密度，并不一定需要用到EUV技术，无论是普通的EUV还是High-NA EUV工具，从而消除了对EUV技术的需求。这意味着即便投资了High-NA EUV光刻机，但实际部署到DRAM生产的窗口期可能相对较短。
三星也会将High-NA EUV技术引入到逻辑芯片的生产中，正在评估1.4nm工艺中的使用，目标2027年量产。台积电也打算推迟使用High-NA EUV光刻机，A14工艺将绕过该技术，要等到2027年之后，计划A14P工艺上引入。
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