UFS3.0闪存,弥补手机最后短板，性能突破极限解析！

这两天的手机圈都被三星Galaxy Fold刷屏了，作为第一款可量产上市的折叠屏手机，Galaxy Fold的强悍毋庸置疑，4.6英寸+7.3英寸内外双屏、骁龙855移动平台、前后6颗摄像头，除了价格昂贵以外绝对爽口。

实际上，三星Galaxy Fold还有一项容易被我们忽视的卖点，那就是全球首发UFS3.0闪存芯片。

在手机领域，虽然SoC越来越强，内存和存储空间越来越大，摄像头都能拍月亮了，但就存储性能而言，其却始终是综合表现的最大短板。

目前手机圈流行的闪存主要以eMMC5.1、UFS2.1单通道，以及UFS2.1双通道为主，我们可以通过AndroBench和鲁大师对其性能一下跑分对比。

eMMC5.1的性能最低，它经常与骁龙4系、骁龙6系、骁龙7系、麒麟6系、麒麟7系、联发科Helio P系列搭配，主要定位在2000元价位以内的主流市场。其在AndroBench中的持续读写速度分别为281MB/s和214MB/s。

eMMC5.1闪存性能

UFS2.1根据通道数量的不同，性能存在很大的差距。其中，单通道UFS2.1主要和骁龙7系结合，定位中高端，在AndroBench中的持续读写速度分别为500MB/s和201MB/s。

UFS2.1单通道闪存性能

双通道UFS2.1主要和骁龙8系、麒麟9系结合，定位高端，在AndroBench中的持续读写速度分别为822MB/s和242MB/s。

UFS2.1双通道闪存性能

作为最顶级的UFS3.0，在2019年Q1才刚刚量产，是骁龙855的梦幻装备，在AndroBench中的持续读写速度可分别达到1507MB/s和396MB/s，较双通道UFS2.1提升了80%以上！

UFS3.0闪存性能

UFS3.0闪存性能

细心的童鞋不难发现，貌似eMMC5.1h和UFS2.1在持续写入速度上的差距不大，是不是代表它们写入数据时的实际表现相近？答案自然是否定的，随机读写（4K）性能才是和实际操作最密切相关的指标，eMMC5.1和UFS相比差的可不是一点半点。

鲁大师

顺序读取

顺序写入

随机读取

随机写入

SQLite Insert

SQLite Update

SQLite Delete

汇总表格

总的来说，UFS3.0的综合性能，特别是持续读写速度有着秒杀UFS2.1前辈的表现，只是在随机读写和SQLite性能上，却依旧和双通道的UFS2.1持平，有些小遗憾。

最后，咱们再来科普一下eMMC和UFS闪存的基础知识吧：

eMMC：

Embedded Multi Media Card，它是在NAND闪存芯片的基础上，额外集成了主控制器，并将二者“打包”封装封成一颗BGA芯片，从而减少了对PCB主板的空间占用，也是移动设备中普及度最高的存储单元。eMMC的性能会随着总线接口的升级而提升，而目前最新的标准就是eMMC 5.1。

UFS：

Univeral Flash Storage，我们可以将它视为eMMC的进阶版，是由多个闪存芯片、主控、缓存组成的阵列式存储模块。UFS弥补了eMMC仅支持半双工运行（读写必须分开执行）的缺陷，可以实现全双工运行，所以性能得以翻番。

UFS2.x

UFS早前被细分为UFS 2.0和UFS 2.1，它们在读写速度上的强制标准都为HS-G2（High speed GEAR2），可选HS-G3标准。而两套标准又都能运行在1Lane（单通道）或2Lane（双通道）模式上，一款手机能取得多少读写速度，就取决于UFS闪存标准和通道数，以及处理器对UFS闪存的总线接口支持情况。

UFS3.0

UFS 3.0引入了HS-G4规范，单通道带宽提升到11.6Gbps，是HS-G3（UFS 2.1）性能的2倍。而由于UFS支持双通道双向读写，所以UFS 3.0的接口带宽最高可达23.2Gbps，也就是2.9GB/s。此外，UFS 3.0支持的分区增多（UFS 2.1是8个），纠错性能提升且支持最新的NAND Flash闪存介质。