南亚科布局 HBM 市场再一哩程，与钰创以 5 亿元成立合资公司

记忆体大厂南亚科与 IC 设计大厂钰创今日共同宣布，合资成立 AI 记忆体设计服务公司，南亚科与钰创将分别以 80:20 股权比例原则，共同投资合资公司新台币 5 亿元，公司总部设于新竹市。

新闻稿指出，两家公司合资公司为因应新兴 AI 边缘运算市场快速发展，将结合双方资源与专业技术，并运用南亚科的先进製程与产能，提供高附加价值、高效能、低功耗的客製化超高频宽记忆体 解决方案，以拓展 AI 边缘运算的多元应用商机。

南亚科一直有计画发展 HBM，年初总经理李培瑛与媒体聚会时就表示，HBM 发展首要目标并非抢进三大厂寡占的资料中心 AI 伺服器 HBM3、HBM3E，或回头做 HBM2 市场，而是瞄準客製化产品。原因是 AI 从云端下放到终端产品之后，需要更多客製化的高频宽记忆体。因此，南亚科预计 2026 年底，与合作伙伴一同推出 HBM 新产品，将针对 AI PC、手机、机器人、汽车等终端应用 。

李培瑛当时也提到，HBM 研发需具高密度设计、3D IC 多晶片封装、高频宽设计、先进逻辑晶片基础裸晶（Base die）四大能力。南亚科因没有投入逻辑製程，是与策略伙伴一同合作。

南亚科 2024 年 12 月曾宣布，以不超过 6.6 亿元投资旗下补丁科技，结合客製化 DRAM 产品设计能力，共同开发高附加价值、高效能的客製化高频宽记忆体解决方案。而且，南亚科亦与封测伙伴福懋科一同建置 3D 硅穿孔製程（TSV）及多晶片堆叠封装。可看出南亚科持续努力 HBM 市场，且以鸭子划水向前布局。