SanDisk、SK 海力士制定 HBF 标準，开拓 AI 记忆体新布局

SanDisk 与 SK 海力士宣布签署合作备忘录（MOU），双方共同制定「高频宽快闪记忆体」（High Bandwidth Flash，HBF）技术规範，并推动标準化，为记忆体市场注入新变数。

HBF 最大的突破，在记忆体堆叠结构并非全由 DRAM 组成，而是引入 NAND 快闪记忆体为主要储存层，使容量密度可达传统 DRAM 型 HBM 的 8~16 倍，同时保有高速读取能力。虽然存取延迟略逊于纯 DRAM，但在需要长时间维持大型模型资料的 AI 推论与边缘运算场景中，HBF 能有效降低能源消耗与散热压力，展现不同的优势。

（Source：Sandisk）

HBF 採用 SanDisk 专有的 BiCS NAND 与 CBA 技术，将高层数 3D NAND 储存单元与高速逻辑层紧密堆叠，实现高频宽、低延迟且高密度的互连。

虽然目前 AI 市场仍以 HBM 为核心，但 HBF 在节能与降低 HBM 压力优势，成为未来 NAND 重要发展方向之一，并有潜力在特定应用补足甚至改变现有记忆体配置格局。

HBF 记忆体样品预计将于 2026 年下半年推出，首批搭载该技术的 AI 推论硬体预定 2027 年初问世。业界预期，凭藉 SK 海力士与多家 AI 晶片製造商的紧密合作关係，HBF 一旦完成标準制定，有望快速获得市场採用。

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（首图来源：Sandisk）