三星DDR内存颗粒的对照表如下:
| 型号 | 容量 | 速度 | 封装 | 工艺 | 电压 |
| --- | --- | --- | --- | --- | --- |
| DDR2 800 | 2GB | 800MHz | TSOP | 80nm | 1.8V |
| DDR2 800 | 4GB | 800MHz | TSOP | 80nm | 1.8V |
| DDR2 1066 | 2GB | 1066MHz | TSOP | 80nm | 1.8V |
| DDR2 1066 | 4GB | 1066MHz | TSOP | 80nm | 1.8V |
| DDR3 1333 | 2GB | 1333MHz | TSOP | 30nm | 1.5V |
| DDR3 1333 | 4GB | 1333MHz | TSOP | 30nm | 1.5V |
| DDR3 1600 | 2GB | 1600MHz | TSOP | 30nm | 1.5V |
| DDR3 1600 | 4GB | 1600MHz | TSOP | 30nm | 1.5V |
| DDR4 2133 | 2GB | 2133MHz | UDIMM | 20nm | 1.
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三星DDR内存颗粒的重要性,如同心脏之于人体,是计算机系统中不可或缺的核心组件。在数字世界的浩瀚宇宙中,三星DDR内存颗粒以其卓越的性能和稳定性,为各类电子设备提供了源源不断的动力。那么您知道三星DDR内存颗粒的对照表是怎样的吗?下面泰盛国际小编为您介绍:

三星DDR内存颗粒的对照表可以根据不同的颗粒型号和规格进行整理,以下是一个归纳后的对照表:
1、颗粒型号解读
容量与位宽:例如,“4G08”代表4Gb 8位颗粒,“AG”则可能代表容量为16Gb。
生产日期:通常通过特定的编码表示,如“843”可能代表内存颗粒的生产日期。
版本与频率:颗粒的版本(如T-DIE)和内存的频率及时序信息,如“TD”可能代表特定的内存频率和时序。
2、三星DDR内存颗粒类型
A-DIE: 16Gb, 32Gb
B-DIE: 8Gb, 16Gb
C-DIE: 8Gb
D-DIE: 4Gb, 8Gb
E-DIE: 4Gb
F-DIE: 4Gb
M-DIE: 16Gb
S-DIE: 4Gb, 8Gb
T-DIE: 4Gb
3、面向不同市场的颗粒
TCB3:面向中低端市场,可稳定工作在PC2700,时序2-2-2-X,频率极限约230MHz。
TCCC:性价比较高,可工作在250-260MHz,时序3-4-4-8,适合超频但空间较小。
TCC4:不常见,适合追求容量和性价比的用户,对电压不敏感,最高频率约210-220MHz。
请注意,以上对照表主要基于过去的信息和市场情况,具体产品的规格和性能可能因生产批次和市场变化而有所不同。在选购时,建议咨询泰盛国际以获取最准确的信息。
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